( 1) 原球茎的引诱及增殖 1. 胡蝶兰 (1 ) 原球茎的引诱培养 培养基: MS + BA2. 0～3. 0 毫克/ 升+ 15%椰乳。培养条件: 温度25℃ , 暗培养20 天后, 置于光照强度在1500 勒克斯的条件下培养。 (2 ) 原球茎的继代培养。原球茎构成后, 在无菌条件下取出切成3～5 毫米的小块, 转移到新鲜培养基中继代, 每瓶接8～10 块。 培养基: MS 或( Kyoto ) + BA3 ～5 毫克/ 升+ 1. 0NAA +10%椰乳。 2. 卡特兰 (1 ) 原球茎的引诱培养 培养基: RM + K T0. 2 毫克/ 升+ NAA0. 1 毫克/ 升,pH5. 5。 培养条件: 卡特兰在初代培养中外植体褐化很严重, 茎尖应在较低温度( 15℃ ～20 ℃) 下采取液体静止暗培养1～ 2 个月后, 在温度25℃ , 光照1000 勒克斯条件下培养。 (2 ) 继代培养 培养基: KC + NAA0. 18 毫克/ 升+ KT0. 22 毫克/ 升+GA3 0. 35 毫克/ 升。 卡特兰培养中, 小苗基部很容易构成丛生芽, 可以利用丛生芽的增殖替换原球茎的增殖。具体做法是: 将丛生芽切下转接到新培养基中作为种苗, 其基部又长出新的丛生芽, 通过分苗,大苗移栽, 小苗继续培养。 3. 大花蕙兰 (1 ) 原球茎的引诱培养 培养基: VW + BA0. 4 毫克/ 升。用改进VW 培养基附加0. 4BA, 蔗糖20 毫克/ 升。 培养条件: 进行液体振荡培养, 温度22℃ ～25℃ , 光照强度1000 勒克斯或前期暗培养。 (2 ) 原球茎继代培养。在原球茎分化出茎叶之前, 将原球茎取出切成小块, 转移到增殖培养基上。 培养基: KC + KT0. 2 毫克/ 升+ NAA0. 1 毫克/ 升+GA3 0. 35 毫克/ 升。 4. 石斛兰 (1 ) 原球茎引诱培养 培养基: KC + NAA1. 0 毫克/ 升。培养温度22℃ ～ 26℃ ,光照强度1000 勒克斯, 固体培养基。 (2 ) 继代培养 KC + BA2. 0 毫克/ 升+ NAA1. 0 毫克/ 升。 5. 文心兰 (1 ) 原球茎引诱培养 培养基: MS + NAA0. 2 毫克/ 升+ 10%椰子汁。 培养条件: 黑暗静止培养20 天(每天摇动2～3 次) , 然后置于光下培养, 待外植体转绿后, 转接到RM + BA6. 0 毫克/升的固体培养基上。培养温度25℃ ±5℃ , 光照强度1500 靳克斯, 每天12 小时光照。大约1 个月左右, 外植体开始膨大并构成原球茎。 (2 ) 继代培养。将原球茎分割成小块, 转接到RM + BA6. 0毫克/ 升的固体培养基上。原球茎增殖的同时, 部份原球茎开始分化, 逐步构成不具根的幼苗。培养条件同上。 ( 2) 根芽分化培养 (1 ) 胡蝶兰。MS + IAA0. 1 毫克/ 升。 (2 ) 卡特兰。用Ardit ti 培养基。 ( 3 ) 大花蕙兰。KC + NAA1. 0 毫克/ 升+ GA3 0. 35 毫克/升。 (4 ) 石斛兰。KC ( 或改进MS ) + IAA0. 1 毫克/ 升,pH5. 5。 (5 ) 文心兰。RM + NAA0. 2 毫克/ 升。生根培养条件同继代培养。 ( 3) 试管苗的移栽 1. 胡蝶兰当试管苗生长至15 厘米左右高, 有2～3 条根时便可移栽。将试管苗带瓶移入温室, 打开瓶塞炼苗3～5 天,取出苗用水冲洗掉琼脂, 栽入营养钵中, 以树皮为基质。胡蝶兰为热带气生兰, 喜温, 但耐塞力弱, 温度在5℃以下会死亡, 温度低于10℃ 时, 花瓣上易出现黑色斑点。要求温度在15℃ 以上, 但夏季温度达35℃以上时, 透风不良, 会对植株产生伤害。 2. 卡特兰移 栽技术同胡蝶兰。刚定植的植株最好遮光50% , 湿度在85%以上, 最适温度为15 ℃～20℃ , 冬季最低温度在10℃以上, 夏季能承受30℃高温。
其他兰花移栽参照胡蝶兰移栽技术。
